NTJD4158CT1G参数：MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V，20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：250mA，880mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：33pF @ 5V功率 - 最大值：270mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
