NTJD5121NT2G参数：MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：295mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.9nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：26pF @ 20V功率 - 最大值：250mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
