NTJS4151PT1参数:MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation27/Jun/2007标准包装:10系列:-包装:剪切带(CT)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):60毫欧@3.3A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):10nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):850pF@10V功率-最大值:1W安装类型:表面贴装封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:SOT-363