NTJS4151PT1参数：MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation27/Jun/2007标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@3.3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@10V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
