NTJS4160NT1G参数：MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence08/Apr/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@2.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.75nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：230pF@10V功率-最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-88
