NTLGF3501NT1G参数：MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008标准包装：3,000系列：FETKY™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@3.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：275pF@10V功率-最大值：1.14W安装类型：表面贴装封装：6-VDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN（3x3）
