NTLJD2104PTBG参数：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence01/Jul/2009标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：467pF@6V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-WDFN（2x2）
