NTLJD3119CTAG参数：MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： 1Q2012Discontinuation30/Mar/2012标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A，2.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@3.8A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.7nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：271pF@10V功率-最大值：710mW安装类型：表面贴装封装：6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-WDFN（2x2）
