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NTLJF3117PT1G

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NTLJF3117PT1G
onsemi
6-WDFN（2x2）
2023+
10195
全新原装进口现货品质保证
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NTLJF3117PT1G
ON
WDFN6
2023+
6078
全新进口原装现货,保证质量
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NTLJF3117PT1G
ONSemiconductor
6-WDFN
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTLJF3117PT1G
ON Semi
2023+
10,000
全新原装，发货2-4周
NTLJF3117PT1G
ON
WDFN-6
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
NTLJF3117PT1G
ON
全新原装现货
2023+
4500
相关型号： NTLJD4150PTBG NTLJD4116NT1G NTLJD3183CZTBG NTLJD3183CZTAG NTLJD3182FZTBG NTLJD3182FZTAG

NTLJF3117PT1G
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NTLJF3117PT1G参数：MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：µCool™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：531pF @ 10V
功率 - 最大值：710mW
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）

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