NTLJS1102PTAG参数：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：36毫欧@6.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：720mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1585pF@4V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-WDFN（2x2）
