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NTLTD7900Z

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NTLTD7900ZR2 优势库存
Onsemi
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2023+
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NTLTD7900ZR2G
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2023+
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NTLTD7900ZR2G
ONSemiconductor
8
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTLTD7900ZR2
Onsemi
MICRO-8
2023+
1200
品质保证,价格优惠
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NTLTD7900Z
ON
Micro-8
2023+
4278
工厂配单，价格优势
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NTLTD7900ZR2
Infineon
优势库存原装现货
2023+
06+
￥8800深圳
相关型号： NTLJS4159NT1G NTLJS4149PTBG NTLJS4149PTAG NTLJS4114NT1G NTLJS3180PZTBG NTLJS3180PZTAG

NTLTD7900ZR2G
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NTLTD7900ZR2G参数：MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：26毫欧@6.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：15pF@16V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-VDFN裸露焊盘
供应商器件封装：Micro8?

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