NTMC1300R2参数：MOSFET N/P-CH DUAL 3A 30V 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductDiscontinuation30/Jun/2004标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A，1.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：300pF@20V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
