NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G
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NTMD2C02R2G参数：MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： WireChange20/Aug/2008 ProductObsolescence13/Apr/2009
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.2A，3.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：43毫欧@4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@10V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN