NTMD6601NR2G参数:MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告: ProductObsolescence05/Oct/2010标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):80V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):215毫欧@2.2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):15nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):400pF@25V功率-最大值:600mW安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOICN