NTMD6N03R2G参数：MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： WireChange20/Aug/2008标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：32毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：950pF@24V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
