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NTMD6P02

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NTMD6P02R2SG 优势库存
ON
SOP8
2023+
93350
全新原厂原装现货
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联系人：肖小姐
QQ询价
NTMD6P02R2G 优势库存
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SOP8
2023+
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全新原厂原装现货
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NTMD6P02R2G
N
SOP
2023+
10057
原装现货价格优势
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NTMD6P02R2
ON
449
2023+
3569
全新进口原装现货,特价热卖
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NTMD6P02R2SG
ONSemiconductor
8-SOIC（3.9mm）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTMD6P02R2G
ONSemiconductor
8-SOIC（3.9mm）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTMD6P02R2
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SOP-8
2023+
52010
品质保证,价格优惠
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NTMD6P02
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SO-8
2023+
36278
工厂配单，价格优势
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电话：0755-83217923
联系人：销售部
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NTMD6P02R2G
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SOIC-8 Narrow
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
NTMD6P02R2
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库房现货原装进口
2023+
5600
NTMD6P02R2G
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全新原装现货
2023+
3000
NTMD6P02R2G
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SOP8
2023+
5000
散新
相关型号： NTMD6N04R2G NTMD6N03R2G NTMD6N03R2 NTMD6N02R2G NTMD6N02R2 NTMD6601NR2G

NTMD6P02R2G
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NTMD6P02R2G参数：MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： WireChange20/Aug/2008
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：33毫欧@6.2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1700pF@16V
功率-最大值：750mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN

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