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NTMFS4119NT

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NTMFS4119NT1G 优势库存
ON
QFN8
2023+
19594
全新原厂原装现货
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NTMFS4119NT1G 优势库存
ON
QFN8
2023+
5961
原装正品现货
NTMFS4119NT1G
onsemi
5-DFN（5x6）（8..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTMFS4119NT3G
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5-DFN（5x6）（8..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTMFS4119NT
ON
qfp
2023+
2778
全新进口原装现货,保证质量
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NTMFS4119NT3G
ONSemiconductor
5-DFN,SO8FL
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTMFS4119NT1G
ONSemiconductor
5-DFN,SO8FL
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTMFS4119NT1G
ON
2005
2023+
898
全新进口原装现货,特价热卖
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NTMFS4119NT1G
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全新原装现货
2023+
4500
相关型号： NTMFS4108NT3G NTMFS4108NT1G NTMFD4902NFT3G NTMFD4902NFT1G NTMFD4901NFT3G NTMFD4901NFT1G

NTMFS4119NT1G
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NTMFS4119NT1G参数：MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ReactivationNotice08/Apr/2011 ProductDiscontinuation27/Jan/2012
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.5毫欧@29A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4800pF@24V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-TDFN裸焊盘（5根引线）
供应商器件封装：6-DFN，8-SO扁平引线（5x6）

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