NTMFS4825NFET3G参数:MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation27/Jan/2012标准包装:5,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):17A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):2毫欧@22A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):40.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):5660pF@15V功率-最大值:950mW安装类型:表面贴装封装:8-TDFN裸焊盘(5根引线)供应商器件封装:6-DFN,8-SO扁平引线(5x6)