NTMFS4849NT1G参数:MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence07/Jul/2010标准包装:1,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):10.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5.1毫欧@30A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):22nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):2040pF@12V功率-最大值:870mW安装类型:表面贴装封装:8-TDFN裸焊盘(5根引线)供应商器件封装:6-DFN,8-SO扁平引线(5x6)