NTMFS4854NST1G参数：MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,500系列：SENSEFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：85nC @ 11.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4830pF @ 12V功率 - 最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：SO-8FL
