NTMFS4897NFT3G参数：MOSFET N-CH 30V SO-8FL
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices18/Apr/2013标准包装：5,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2毫欧@22A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：83.6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5660pF@15V功率-最大值：950mW安装类型：表面贴装封装：8-TDFN裸焊盘（5根引线）供应商器件封装：6-DFN，8-SO扁平引线（5x6）
