NTMFS4943NT3G参数：MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8 FL
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation10/Oct/2012标准包装：5,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.2毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20.9nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1401pF@15V功率-最大值：910mW安装类型：表面贴装封装：8-TDFN裸焊盘（5根引线）供应商器件封装：6-DFN，8-SO扁平引线（5x6）
