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NTMS10P02

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NTMS10P02R2G 优势库存
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SOP8
2023+
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全新原厂原装现货
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NTMS10P02R2G
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8-SOIC
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NTMS10P02R2
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8-SOIC
2023+
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全新原装进口现货品质保证
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全新进口原装现货,特价热卖
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NTMS10P02R2G
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2023+
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NTMS10P02R2G
ONSemiconductor
8-SOIC（3.9mm）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTMS10P02R2
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8-SOIC（3.9mm）
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SOP
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7557
工厂配单，价格优势
深圳市跃创科技有限公司 VIP现货会员
电话：0755-83217923
联系人：销售部
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NTMS10P02
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SO-8
2023+
46278
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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NTMS10P02R2G
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2023+
10,000
全新原装，发货2-4周
NTMS10P02R2G
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原厂标准封装
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SOIC-8 Narrow
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【【【原装绝对有货】】】
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原装
相关型号： NTMKE4892NT1G NTMKE4891NT1G NTMKB4895NT1G NT-MIL-7/8-0-SP NT-MIL-5/8-0-SP NT-MIL-4-0-SP

NTMS10P02R2
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NTMS10P02R2参数：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChange20/Aug/2008 ProductObsolescence11/Feb/2009
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14毫欧@10A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：70nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3640pF@16V
功率-最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN

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