NTMS4935NR2G参数：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence30/Jun/2011标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.1毫欧@7.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：52.1nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3639pF@25V功率-最大值：810mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
