NTMS4P01R2

NTMS4P01R2
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NTMS4P01R2参数：MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@4.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.15V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1850pF@9.6V
功率-最大值：790mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN