NTMS4P01R2参数：MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@4.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.15V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1850pF@9.6V功率-最大值：790mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
ONSOP82023+93350全新原厂原装现货
