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NTMSD3P102R2

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NTMSD3P102R2G 优势库存
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SOP8
2023+
93350
全新原厂原装现货
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NTMSD3P102R2SG 优势库存
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SOP8
2023+
5856
原装现货，价格优势
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NTMSD3P102R2SG
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8-SOIC
2023+
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全新原装进口现货品质保证
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NTMSD3P102R2
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8-SOIC
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500
全新原装进口现货品质保证
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8-SOIC
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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NTMSD3P102R2SG
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SOP8
2023+
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全新原装现货,特价
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NTMSD3P102R2
N
SOP
2023+
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原装现货价格优势
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NTMSD3P102R2SG
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ONSemiconductor
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NTMSD3P102R2G
ONSemiconductor
8-SOIC（3.9mm）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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NTMSD3P102R2S
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SOP-8
2023+
2098
深圳现货，专业配套
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NTMSD3P102R2G
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17557
工厂配单，价格优势
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NTMSD3P102R2SG
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SOIC-8 Narrow
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
相关型号： NTMSD2P102R2SG NTMSD2P102R2 NTMSD2P102LR2G NTMSD2P102LR2 NTMS7N03R2G NTMS7N03R2

NTMSD3P102R2
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NTMSD3P102R2参数：MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChange12/May/2009 ProductObsolescence06/Oct/2006
标准包装：2,500
系列：FETKY™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.34A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@3.05A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：750pF@16V
功率-最大值：730mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN

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