NTMSD3P303R2G参数:MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence13/Apr/2009标准包装:2,500系列:FETKY™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:二极管(隔离式)漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.34A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):85毫欧@3.05A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):750pF@24V功率-最大值:730mW安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOICN