NTQD4154ZR2参数:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告: ProductDiscontinuation31/Mar/2005标准包装:4,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):19毫欧@7.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):21.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1485pF@16V功率-最大值:1.52W安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm宽)供应商器件封装:8-TSSOP