NTQD6866R2参数:MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告: ProductObsolescence06/Oct/2006标准包装:4,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):32毫欧@6.9A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):22nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1400pF@16V功率-最大值:940mW安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm宽)供应商器件封装:8-TSSOP