NTQD6968R2参数：MOSFET PWR N-CH 6.6A 20V 8TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence01/Apr/2004标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：22毫欧@6.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@16V功率-最大值：940mW安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-TSSOP
