NTQS6463R2参数：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation02/Jan/2007标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@6.8A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：-功率-最大值：1.39W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-TSSOP
