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NTR1P02

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On Semiconduct..
全新原装，假一赔十，欢迎..
2023+
15+PB
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NTR1P02T1G
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6000
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14700
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300000
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7278
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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NTR1P02L
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86000
一级代理/全新原装现货/长..
NTR1P02LT1G
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一级代理分销/现货/可长期..
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10,000
全新原装，发货2-4周
NTR1P02T1G
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6,266
全新原装，发货1周
NTR1P02T1G
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【【【原装绝对有货】】】
NTR1P02LT3G
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【【【原装绝对有货】】】
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2023+
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全新原装现货
相关型号： NTR0202PLT3G NTR0202PLT1G NTR0202PLT1 NTQS6463R2 NTQD6968R2 NTQD6968NR2G

NTR1P02LT1G
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NTR1P02LT1G参数：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220毫欧@750mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.25V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.5nC@4V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：225pF@5V
功率-最大值：400mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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