NTR1P02LT1G参数：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220毫欧@750mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.25V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.5nC@4V不同Vds时的输入电容(Ciss)：225pF@5V功率-最大值：400mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
