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NTR1P02LT1

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NTR1P02LT1G
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NTR1P02LT1G参数：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220毫欧@750mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.25V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.5nC@4V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：225pF@5V
功率-最大值：400mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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