NTR2101PT1参数：MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008 WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：-不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：52毫欧@3.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1173pF@4V功率-最大值：960mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
