NTR2101PT1参数:MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: LTBNotification03/Jan/2008 WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):8V电流-连续漏极(Id)(25°C时):-不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):52毫欧@3.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):15nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1173pF@4V功率-最大值:960mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)