NTR3161NT1G参数:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009 ProductObsolescence24/Jan/2011 ProductObsolescence01/Jul/2009标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):-不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):50毫欧@3.3A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):7.3nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):540pF@10V功率-最大值:820mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)