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NTR4170N

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NTR4170NT1G 优势库存
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相关型号： NTR4101PT1G NTR4003NT3G NTR4003NT1G NTR3162PT3G NTR3162PT1G NTR3161NT1G

NTR4170NT1G
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NTR4170NT1G参数：MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：-
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@3.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.76nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：432pF@15V
功率-最大值：780mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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