NTTFS5116PLTWG参数：MOSFET PWR P-CH 60V 20A 8-WDFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 6A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1258pF @ 30V功率 - 最大值：3.2W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
