NTTFS5826NLTAG参数:MOSFET PWR N-CH 60V 8A 8-WDFN
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1,500系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 7.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 25V功率 - 最大值:3.1W安装类型:表面贴装封装:8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)