NTTS2P02R2参数:MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductObsolescence11/Feb/2009标准包装:4,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):90毫欧@2.4A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):18nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):550pF@16V功率-最大值:780mW安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm宽)供应商器件封装:Micro8?