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NTUD3169CZT5G

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NTUD3169CZT5G
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NTUD3169CZT5G参数：MOSFET N/P-CH 20V SOT-963

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： WireBondChange01/Dec/2010
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：220mA，200mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5欧姆@100mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：12.5pF@15V
功率-最大值：125mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-963
供应商器件封装：SOT-963

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