NTUD3170NZT5G参数：MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： WireBondChange01/Dec/2010标准包装：8,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：220mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5欧姆@100mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：12.5pF@15V功率-最大值：125mW安装类型：表面贴装封装：SOT-963供应商器件封装：SOT-963
