NTZD3154NT2G参数：MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：540mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：550毫欧@540mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：150pF@16V功率-最大值：250mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563
