NXT2000

NX1029X,115
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NX1029X,115参数：MOSFET DUAL N/P-CH SOT666

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：*
漏源极电压 (Vdss)：60V，50V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：410mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SOT-666