OPA659IDRBR参数：IC OPAMP WBND VFB JFET IN 8-SON
类别：集成电路 (IC)-LINEAR - AMPLIFIERS - INSTRUMENTATION, OP AMPS, BUFFER AMPS标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)放大器类型：J-FET电路数：1输出类型：-压摆率：2550 V/µs增益带宽积：350MHz-3db 带宽：650MHz电流 - 输入偏置：10pA电压 - 输入失调：1mV电流 - 电源：32mA电流 - 输出/通道：70mA电压 - 电源，单/双 (±)：±3.5 V ~ 6.5 V工作温度：-40°C ~ 85°C安装类型：表面贴装封装：8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-SON 裸露焊盘（3x3）
