PBSS4160DS,115参数：TRANS NPN DL 60V LOW SAT 6TSOP
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列特色产品： NXP-I2CInterface标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：2NPN（双）电流-集电极(Ic)（最大值）：1A电压-集射极击穿（最大值）：60V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@100mA，1A电流-集电极截止（最大值）：100nA不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@500mA，5V功率-最大值：420mW频率-跃迁：220MHz安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
