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PBSS5160DS

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PBSS5160DS,115
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PBSS5160DS,115参数：TRANS PNP DUAL 60V 1A 6TSOP

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
特色产品： NXP-I2CInterface
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：2PNP（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：770mA
电压-集射极击穿（最大值）：60V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：330mV@100mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：100nA
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：150@500mA，5V
功率-最大值：420mW
频率-跃迁：185MHz
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP

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