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PDTA143TE

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PDTA143TE 优势库存
PHI
SOT416-3
2023+
964
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PDTA143TE,115
NXP USA Inc.
SC-75
2023+
500
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PDTA143TE
NXPSemiconduct..
EMT3(SOT-416..
2023+
3000
品质保证,价格优惠
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PDTA143TE115
NXPSemiconduct..
SC-75,SOT-416
2023+
1250
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PDTA143TE
PHI
SOT416-3
2023+
928
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PDTA143TEF
PHILIPS
SOT523
2023+
25278
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PDTA143TE115
NXP
SOT-416-3
2023+
12000
【【原装绝对有货】】
相关型号： PDTA143EU,115 PDTA143ET,215 PDTA143EMB,315 PDTA143EM,315 PDTA143EK,115 PDTA143EEF,115

PDTA143TE,115
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PDTA143TE,115参数：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品目录绘图： SOT-416PackageTop PDTA1xxTxSeriesCircuit
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：PNP-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@1mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：150mV@250µA，5mA
电流-集电极截止（最大值）：1µA
频率-跃迁：-
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：SC-75

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